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Programm
Montag, 01.10.2007
12.00 - 13.00 Uhr: Anmeldung und Empfangsimbiss
13.00 - 13.15 Uhr: Eröffnung des Workshops durch Detlev Grützmacher
| Session 1: Wachstumsmechanismen, Chair: Siegfried Mantl |
| 13.15 - 13.30 Uhr | Tobias Gründl: "Einbauverhalten von Stickstoff in Ga(1-x)In(x)As mit (x=0 ... 0.8)" |
| 13.30 - 13.45 Uhr | Raffaella Calarco: "Nucleation and Growth of GaN Nanowires on Si(111)" |
| 13.45 - 14.00 Uhr | Ursula Wurstbauer: "Growth of Mn doped GaAs based heterostructures" |
| 14.00 - 14.15 Uhr | Liudmila Makhova: "Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung der II-VI, I-III-VI Heterostrukturen" |
| 14.15 - 14.30 Uhr | Thomas Wassner: "Growth and characterization of ZnMgO" |
| 14.30 - 14.45 Uhr | Kirill Trunov: "Erste Erfahrungen mit selbstgebauter III - V MBE-Anlage" |
14.45 - 15.45 Uhr: Kaffeepause
| Session 2: Si-basierende Heterostrukturen, Chair: Klaus Pierz |
| 15.45 - 16.00 Uhr | Jens Werner: "Highly doped Si < Sb > buried layers grown by MBE" |
| 16.00 - 16.15 Uhr | Olaf Seifarth: "Creating strained Si overlayers via lattice mismatched oxide heterostructures" |
| 16.15 - 16.30 Uhr | Gregor Mussler: "SiGe Quantentopf- und Kaskadenstrukturen für optoelektronische Anwendungen" |
| 16.30 - 16.45 Uhr | Christian Dais: "Fabrication of Si/Ge quantum dot arrays with periodicities down to 35 nm" |
| 16.45 - 17.00 Uhr | Dietmar Pachinger: "Stranski-Krastanow Growth of Tensile Strained Si Islands on Ge (001) Substrates" |
| 17.00 - 17.15 Uhr | Vasily Cherepanov: "Growth of a well ordered array of Ge nanowires with single-digit nm width" |
| 17.15 - 17.30 Uhr | Lutz Geelhaar: "MBD of high-k dielectrics for DRAM application" |
| 17.30 - 17.45 Uhr | Joa Marcelo Lopez: "MBD growth of ternary rare-earth high-k oxides" |
18.00 - 19.00 Uhr: Bustransfer nach Vaals zum Bankett
Dienstag, 02.10.2007
8.00 - 9.00 Uhr: Busfahrt von Vaals zum FZ Jülich
| Session 3: III-V Quantenpunkte und -drähte, Chair: Lutz Geelhaar |
| 9.15 - 9.30 Uhr | Andrea Stemman: "Selbstorganisation von GaAs quantum dots mit Tröpfchenepitaxie: Herstellung und Facettenbildung" |
| 9.30 - 9.45 Uhr | Christian Heyn: "Selbstorganisation von GaAs quantum dots mit Tröpfchenepitaxie: Wachstumsmodellierung" |
| 9.45 - 10.00 Uhr | Andryi Zolotaryov: "X-ray diffraction on InAs/GaAs(001) and InAs/AlAs(001) quantum dot systems. Investigation of dot composition and growth mechanisms" |
| 10.00 - 10.15 Uhr | Thomas Schlereth: "Growth of AlGaInAs quantum dots with tailored morphology and emission wavelength" |
| 10.15 - 10.30 Uhr | Michail Ion Lepsa: "Quantum transport in GaAs/AlAs heterostructure nanocolumns" |
| 10.30 - 10.45 Uhr | Thoma Stoica: "Surface induced Franz-Keldysh effect in GaN nanowires" |
10.45 - 11.30 Uhr: Kaffepause
| Session 4: In-situ Charakterisierung, Chair: Christian Heyn |
| 11.30 - 11.45 Uhr | Ulrich Abelein: "Photonenaktivierte In situ-Substratreinigung bei niedrigen Temperaturen für UHV Systeme" |
| 11.45 - 12.00 Uhr | Klaus Biermann: "In-situ Reflektionsmessungen an Mikroresonator-Strukturen" |
| 12.00 - 12.15 Uhr | Jörg Seifritz: "In-situ combination of thin film technologies with state-of-the-art UHV surface analysis" |
| 12.15 - 12.30 Uhr | Taras Slobodsky: "Nanostructure investigation cluster at ANKA synchrotron source" |
| 12.30 - 12.45 Uhr | Kolja Haberland: "Advances in in-situ optical monitoring and control of VCSEL growth in MBE" |
12.45 - 13.45 Uhr: Mittagspause
| Session 5: Optoelektronische Bauelemente, Chair: Detlev Grützmacher |
| 13.45 - 14.00 Uhr | Andreas Rutz: "GaInNAs und InAs-QD SESAMs für modengekoppelte 1.3 µm GaInNAs VECSELs" |
| 14.00 - 14.15 Uhr | Fernando Rinaldi: "Characterization of MBE grown VCSELs" |
| 14.15 - 14.30 Uhr | Ferdinand Felder: "Durchstimmbare resonanzverstärkte Photodetektoren für das mittlere Infrarot" |
| 14.30 - 14.45 Uhr | Martin Arnold: "Bleisalz-VECSEL mit 5 µm Emissionswellenlänge" |
14.45 - 15.00 Uhr: Closing remarks
15.00 - 17.00 Uhr: Laborrundgang
17.00 Uhr: Bustransfer zum Bahnhof Düren
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Life Science
